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美光：已基本完成2025年HBM内存供应谈判，相关订单价值数十亿美元

2024-08-01 【字体：大中小】

美光预测，未来数年其HBM内存位元产能的复合年增长率将达到50%。

IT之家 5 月 22 日消息，美光在昨日的摩根大通投资者会议活动上表示，美光 2025 年 HBM 内存供应谈判基本完成。

美光高管代表宣称，其已与下游客户基本敲定了明年 HBM 订单的规模和价格。

美光预计 HBM 内存将在其截至 2024 年 9 月的本财年中创造数亿美元量级的营收，而在 25 财年相关业务的销售额将增加到数十亿美元。

美光 HBM3E 内存结构

美光预测，未来数年其 HBM 内存位元产能的复合年增长率将达到 50%。

为了应对 HBM 领域的强劲需求，美光调升了本财年资本支出的预计规模，从 75~80 亿美元增至 80 亿美元（IT之家备注：当前约 579.2 亿元人民币）。

在 HBM 技术层面，美光于本季度早些时候开始出样 12 层堆叠 HBM3E 内存。这一单堆栈容量提升 50% 的新品预计将成为美光 2025 年业绩的重要驱动力。

而在非 HBM 领域，美光认为高 AI 算力 PC 对通用内存的需求将增长 40~80%，而 LPDDR 内存未来将在数据中心市场占有更大份额。

整体来看，美光预测 DRAM 内存行业长期增长率将维持在 15% 上下，NAND 行业的长期增长率则略高于 20%。

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